Après s'être allié à Infineon, le groupe informatique américain IBM s'engage au coté du japonais TDK dans un programme de recherche et développement centré sur la MRAM haute capacité (magnetoresistive random access memory). Mémoire « non volatile », la MRAM peut stocker des données même si elle n'est plus alimentée (comme la mémoire flash), elle est « rapide » (cycle de lecture/écriture de 35 nanosecondes) et son endurance serait « illimitée », les charges magnétiques n'induisant aucun mouvement électronique. Malgré ces avantages, malgré les efforts d'industriels comme IBM, Infineon ou Toshiba, son adoption large reste incertaine.

Freescale Semiconductor a été le premier, en juillet 2006, a commercialisé une puce MRAM à 4 Mbits, mais à 25$ l'unité, celle-ci n'a pas bouleversé le marché. Pour leur part, IBM et TDK estiment qu'en rejoignant leurs forces, il sera possible de développer des modules à même de séduire l'industrie. Ces puces mémoires pourront être utilisées indépendamment ou embarquées dans d'autres composants destinés au secteur automobile, aux terminaux mobiles et au matériel informatique. Les travaux seront effectués dans trois centres R&D d'IBM (New York, Vermont, Californie) et un centre californien appartenant à TDK.

A travers cette initiative, IBM s'engage « à explorer les nouveaux phénomènes liés aux applications mémoires », a souligné dans un communiqué TC Chen, VP d'IBM Research en charge des sciences et des technologies. Minoru Takahashi, directeur technique du groupe électronique TDK, a ajouté vouloir « élargir l'application de matériaux magnétiques, coeur de la technologie TDK depuis 1935 ».